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IRGIB10B60KD1P中文资料

IRGIB10B60KD1P图片

IRGIB10B60KD1P外观图

  • 大小:452.82KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:IGBT - 单路
  • 系列:-
  • IGBT 类型:NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,10A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):16A
  • 功率 - 最大:44W
  • 输入类型:标准型
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装:TO-220AB 整包
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRGIB10B60KD1P

IRGIB10B60KD1P供应商

更新时间:2023-01-19 07:49:40
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